基于平均值等效的IGCT-MMC损耗特性分析与计算

集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristor,IGCT)具有通态损耗低、通流能力强等优势,且具有进一步发展的潜力,适合于模块化多电平变换器(modular multilevel converter,MMC)的应用场合.本文描述了平均值等效的方法应用于基于IGCT器件的MMC的损耗评估原理与计算方法.尤其是针对IGCT器件、缓冲电路和取能电源等部分损耗给出了详细的分析.在此基础上,给出了算例,并与模拟实际投切过程进行仿真计算的结果进行了对比,验证了所述方法的准确性.