高量子效率中波InAs/GaSbⅡ类超晶格探测器分子束外延生长及特性

基于分子束外延(MBE)生长技术获得了高量子效率的InAs/GaSb T2SLs中波红外(MWIR)光电探测器结构材料,表现出了层状结构生长的光滑表面和出色的晶体结构均匀性.此超晶格中波红外探测器的50％截止波长约为5.5μm,峰值响应率为2.6 A/W,77 K下量子效率超过了80％,与碲镉汞的量子效率相当.在77 K,-50 mV偏压下的暗电流密度为1.8×10-6 A/cm2,最大电阻面积乘积(RA)(-50 mV偏压)为3.8×105Ω·cm2,峰值探测率达到了6.1×1012 cm Hz1/2/W.