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Effect of the Switching Layer on CBRAM Reliability and Benchmarking Against OxRAM Devices

A. Belmonte, G. Reale,A. Fantini,J. Radhakrishnan,A. Redolfi,W. Devulder,L. Nyns,S. Kundu,R. Delhougne,L. Goux,G. S. Kar

Solid-State Electronics（2021）

引用 7|浏览22

关键词

RRAM,CBRAM,OxRAM,Reliability,Memory window,Endurance,Retention

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