硅基与蓝宝石衬底上的GaN-LEDs性能差异分析

在简要阐述硅基与蓝宝石衬底的GaN研究与发展基础上，就此两种不同衬底上GaN‐LEDs性能进行了对比分析，并对这两种衬底上的LED进行了相应的表征实验。通过AFM 和XRD等分析手段揭示了器件的结构特性，对器件性能（I‐V 和 EL以及I‐L测试）进行了相应的评价。通过分析相关实验数据得出：在电学特性与光学性能两方面，蓝宝石衬底上的L ED均优于硅衬底上的L ED。