更耐高压、更低功耗:新型碳化硅IGBT器件闪耀半导体器件舞台
wf（2019）
摘要
几十年前,在功率半导体器件领域,半导体硅材料一直"独唱主角",硅基超大规模集成技术对硅功率器件的发展产生了重大影响.然而,随着功率领域对小型化、高频、高温、高压和抗辐照特性的迫切需求,硅基功率器件达到了理论极限,第二代半导体材料砷化镓(GaAs),以及以碳化硅(SiC)半导体材料和氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、金刚石等宽禁带半导体材料(禁带宽度大于3.2eV)等为代表的第三代半导体材料纷纷登上半导体的舞台.
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