La2 Hf2 O7栅介质薄膜的制备和结构表征

采用脉冲激光沉积（PLD）技术在 Si （100）衬底上制备出高介电常数La2 Hf2 O7栅介质薄膜。利用 X 射线衍射（XRD）、同步辐射 X 射线反射（XRR）和X 射线光电子能谱（XPS）测试了薄膜的微观结构和界面特性，以及退火处理对其的影响。结果表明，初始制备的薄膜呈非晶态，经1000℃退火的后处理，晶化成晶态的 La2 Hf2 O7薄膜；生长过程当中，La2 Hf2 O7与 Si 衬底之间形成硅氧化物和硅酸盐结构的界面层，界面层的厚度与生长条件密切相关，合适的生长条件或后处理措施可以有效地抑制硅氧化物界面层出现，进而提高 La2 Hf2 O7栅介质薄膜的介电性能。