高体积分数 SiCp/Al 复合材料表面粉化的原因

在850℃下,分别用纯铝熔体或硅质量分数为5％,12．5％,20％的铝硅合金熔体浸渗反应烧结碳化硅(RBSiC)坯体,获得硅含量不同的高体积分数 SiCp/Al 复合材料；该复合材料在空气中长时间放置后表面粉化,采用扫描电镜、X 射线衍射仪、X 射线能谱仪等分析了复合材料及其粉化后粉末的组织形貌及成分,并分析其粉化原因.结果表明：在空气中静置两个月后,硅含量低的复合材料(原料中硅质量分数为0,5％)表面形成大量粉末,硅含量高的复合材料表面则不会粉化,粉末主要为棒状和片状 Al(OH)3；复合材料制备过程中由于硅含量不足产生了碳化铝,碳化铝在空气中水解导致粉化.