Φ200 mm硅单晶的生长工艺特点

CHINESE JOURNAL OF RARE METALS(1998)

引用 1|浏览3
暂无评分
摘要
在全自动拉晶条件下, 讨论了拉制Φ200 mm硅单晶遇到的新问题. 热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求. 合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键.
更多
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树,研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要