Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(8)砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(8)

4 Ⅲ-Ⅴ族化合物电池研发的新动向 4.1含GaInNAs (Sb)晶格匹配的三～五结叠层聚光电池 前文介绍在研发与GaAs晶格匹配的1 eV带隙的GaInNAs材料时遇到了困难,这一问题在2011年终于取得了突破.据Solar Junction 公司报道,他们制备了高质量的稀N含量GaInNAs(Sb)分子束外延材料,并成功研制了GaInP/GaAs/GaInNAs(Sb)三结叠层电池.经NREL和Fraunhofer太阳能所测量认证(图11),在1000倍(AM 1.5D)太阳光强下,三结电池效率超过43％;在400～600倍太阳光强下,电池峰值效率达到43.5％[34].