Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(9)砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(9)

4.3 半导体键合技术(SBT)制备的四～五结叠层聚光电池 2014年9月,德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道,他们采用SBT研制的四结叠层GaInP/GaAs//GaInPAs/GaInAs聚光电池在324倍AM 1.5D光强下,达到了当前国际最高电池效率46.5％(5.42 mm2)[2]. 四结电池分两步制备.首先在GaAs(晶格常数为5.65 (A))衬底上反向生长与之晶格匹配的高质量的Ga0.51In0.49P/GaAs宽带隙(1.88/1.42 eV)两结叠层电池,在InP(晶格常数5.87 (A))衬底上正向生长与之晶格匹配的高质量的Ga0.15In0.85P0.65A S0.35/Ga0.47In0.53As窄带隙(1.09/0.74 eV)两结叠层电池,然后将GaAs电池表面与GaInPAs电池表面进行键合,剥离GaAs衬底,形成图14所示的四结叠层电池结构,其中键合面用//表示.电池表面形成欧姆接触,正表面有栅电极和MgF2/Ta2O5减反射层.