P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延 生长研究

基于碳化硅半导体的高压电力电子器件如MOSFET、IGBT等有望用于智能电网系统中.这些器件的基本结构包含PN结及其变体,其特点是包括N-漂移层、P阱区及位于其中的N+和P+并列阱区,形成了P+(N+)/P/N-结构.一般采用高温高能离子注入的方式制备此结构,具有较高的难度.本文采用外延生长的方法实现P+/P/N-同质多层结构,以P型阶梯掺杂的方式实现了一种4H-SiC多层薄膜同质外延材料.与注入方法相比,本方法在阱区几何尺寸、掺杂精度上具有优势,可望用于今后制备性能更优的同类高压器件.