冲击电流驱动下半导体激光器的快速响应研究
Laser & Infrared（2018）
摘要
基于半导体激光器的单模速率方程,采用典型参数对其进行建模仿真,仿真结果表明:半导体激光器在初期的光子受激辐射速率随着注入电流的增大而增加,上升时间随着注入电流的增大而减少.但对于固定功率限制范围的半导体激光器,不能通过直接增大注入电流来减少上升时间,考虑到半导体激光器的发热问题,提出了一种在正常脉冲发光电流前端加入冲击电流来减少半导体激光器发射脉中中上升时间的方法,保证了半导体激光器的稳定输出.通过仿真对该方法进行验证,并对型号为PLTB450B半导体激光器进行了测试.仿真结果与测试结果均表明:通过加入冲击电流的方法,可以大大减少固定功率的半导体激光器发射脉冲的上升时间.
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