基于透射光谱确定微晶硅锗薄膜的光学常数

结合多层结构模型以及柯西色散公式,给出一种由透射谱提取微晶硅锗(μc-Si1-xGex∶H)薄膜光学常数的Matlab方法.与Swanepeol方法、PUMA(pointwise unconstrained minimization approach)方法相比,Matlab法通过透射率极值的位置而非幅值计算折射率,能够避免幅值大小偏差所造成的影响,得到更准确的光学常数,拟合精度能提高1个数量级.计算所得不同Ge含量的光学常数表明,μc-Si1-xGex:H在整个波长范围内有更高的吸收系数和折射率,并且二者随Ge含量增加而增加.由ASA(advanced semiconductor analysis)进一步计算表明,相对于μc-Si∶H电池,当本征吸收层较薄时相同厚度的μc-Si1-xGex∶H电池从400 nm开始即能表现出更高的量子效率(QE)响应,当本征吸收层较厚时相同厚度的μc-Si1-xGex∶H电池在近红外区域的QE响应依然优势明显.并且,在获得相同电流密度的情况下,μc-Si1-xGex∶H电池能够明显降低本征吸收层厚度,因而能够有效降低Si基薄膜太阳电池的制造成本.