基于SiGe BiCMOS工艺的X和Ka波段T/R多功能芯片设计
Journal of Microwaves（2016）
摘要
提出了应用0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计的全集成X和Ka波段T/R多功能芯片.包括5位数控移相器、低噪声放大器、功率放大器和收发控制开关都被集成在单片上.首次将分布式结构应用在多功能芯片的小信号放大器设计中,而且将堆叠式结构的功放集成在收发芯片中,此两款多功能芯片均有着带宽宽、增益高、输出功率大等优点.其中X波段收发芯片接收、发射增益分别达到25 dB、22 dB,发射输出P-1dB达到28 dBm;Ka波段收发芯片接收、发射增益分别达到17 dB、14 dB,发射输出P-1 dB达到20.5 dBm.此两款应用硅基工艺设计的多功能芯片指标均达到国际先进水平,为X和Ka波段相控阵系统的小型化和低成本化提供了良好的条件.
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