基于二维汉明码结构的闪存纠错存储系统
Microelectronics & Computer（2018）
摘要
针对闪存存储单元会出现多位错误,提出了NAND型闪存存储器的二维汉明码算法,从行和列二维结构上对任意2J bit字长的存储数据,用统一的公式化算法进行汉明编码,通过计算纠错偶对能够纠错多位数据误码的情况,译码时先纠错,再校验,保证存储系统数据的完整性,解决了MLC结构闪存的纠错问题.在此基础上分析了不能纠错的图样模式.该算法核心结构上只有异或操作,易于实现,适用于NAND型闪存存储器.实验表明,闪存系统中有效数据二维结构为1 024×128时,采用二维汉明码结构,编码效率为11％,实际编码效率为12.6％.其编码速度和译码速度均达到了102 Gbps,适用于高速存储系统.
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