三角形硅二聚体纳米天线及其荧光增强效应研究
Semiconductor Optoelectronics（2020）
摘要
提出了一种三角形硅二聚体纳米天线结构,该结构可以从激发和发射过程同时提高荧光物质的荧光发光效率,并且实现荧光的远场定向发射增强.利用时域有限差分法详细研究了不同组合方式的三角形二聚体、不同三角形直角边长以及不同二聚体底角间距对荧光发射增强效果的影响,并进行了结构参数的优化,研究了该结构对荧光激发过程的影响.结果 表明,三角形硅二聚体纳米天线结构的直角边长为300 nm,二聚体底角间距为0 nm是纳米天线的最优参数.相对于裸光源,硅二聚体纳米天线使点光源的荧光发射增强了7倍,实现了远场定向发射.而且,在405 nm波长光的激发下,荧光激发过程也得到了增强.
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