半导体列阵激光器波长复合设计及实验研究
Semiconductor Optoelectronics（2014）
摘要
利用半导体材料波长易调节的特点,设计了AlGaInAs/GaAs/AlGaAs压应变量子阱结构,得到760、800、860、930和976 nm 5个波长激射的半导体列阵激光器,同时设计了4个短波通滤波片参数,开展了半导体列阵激光器的多波长光束复合技术的实验研究,最终实现了5个波长的半导体列阵激光器的光束复合,得到112W的激光功率输出,总体效率为88.5％,其中波长复合效率达92.4％,输出聚焦光斑尺寸为136 μm×1 330 μm,聚焦光功率密度达6.43×104 W/cm2.
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