基于MOSFET的纳秒级全固态脉冲源设计
High Power Laser and Particle Beams（2017）
摘要
采用MOSFET半导体固态开关作为主放电开关取代气体开关、高压二极管替代充电电阻的技术方法,设计了一种基于功率MOSFET固态开关的纳秒级全固态脉冲源.设计的脉冲源主开关级数共5级,每级主开关分别由5只功率MOSFET半导体固态开关器件串联组成,开关通断控制采用脉冲隔离变压器同步驱动方式.在重复频率1 Hz～1 kHz、充电电压4 kV、负载阻抗为1 kΩ条件下,可实现输出幅度大于20kV、前沿小于10 ns且脉宽大于100 ns的高压快脉冲.通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,并给出了单次和重复频率(1 kHz)触发信号作用下全固态脉冲源输出的实验结果.
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