高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制
Semiconductor Technology（2018）
摘要
研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010) Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2.0×1018 cm-3,n型沟道厚度为80 nm.采用Si离子注入工艺,器件欧姆特性得到大幅改善,欧姆接触电阻降至1.0 Ω·mm.采用原子层沉积(ALD)厚度为25 nm的HfO2作为器件的栅下绝缘介质层.测试结果表明,在栅偏压为0V时,器件的开态导通电阻仅为65 Ω·mm,漏源饱和电流密度达到173 mA/mm,器件的三端关态击穿电压达到120 V.
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