基于GaN HEMT的高效率Doherty功率放大器设计

Research & Progress of Solid State Electronics（2017）

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摘要

对影响Doherty功放回退效率的因素进行了分析,从输入功率配置、载波功放与峰值功放栅压以及相位平衡等多重角度进行了仿真,并基于此讨论了DPA(Doherty power amplifier)输出功率回退点的效率空间,从该效率空间出发,可以选择合适的功率配置和栅偏压进行功放的设计.基于GaN HEMT器件对所设计的电路进行了加工、装配和测试.测试结果显示:在2.25 GHz时,峰值效率为59％,输出功率为43.7 dBm;输出在饱和点回退2dB时的效率为51％.

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