铜镀镍基底生长碳纳米管薄膜场发射特性研究

Haibo HUO,Huali MA,Weifei YANG,Leiming CHEN,Pei DING,Fanguang ZENG

Research & Progress of Solid State Electronics（2016）

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摘要

采用化学镀的方法在铜基底上镀镍作为缓冲层,以酞菁铁(FePc)作为催化剂,采用CVD法在Cu/Ni基底上制备出了碳纳米管薄膜(Cu/Ni-CNTs),利用扫描电镜(SEM)和拉曼光谱进行了表征.为了测试在Cu/Ni基底上生长碳纳米管薄膜的场发射特性,采用二极管结构,在真空度为2×10-4 Pa下进行直流场发射测试.结果表明Cu/Ni基底的碳纳米管薄膜具有优异的场发射特性,薄膜与阳极距离为9 mm时开启场强为1.44 V/μm,场发射测试数据符合Fowler-Nordheim (F-N)场发射特性曲线,在相同高压范围(0～20 kV)进行多次重复测试,碳纳米管薄膜具有良好的发射可重复性.

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