一种CMOS旋转行波压控振荡器

采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一种基于微带传输线的旋转行波压控振荡器(RTWO).采用λ/4差分传输线代替传统交叉耦合反相器对的PMOS负载管;通过电磁场建模并优化,获得了高Q值的谐振腔模型,提高了RTWO电路的振荡频率;解决了RTWO电路旋转波形不确定的问题,电路能逆时针起振旋转.该旋转行波压控振荡器的电路版图尺寸为980μm×1 150μm.在1.2V电源电压下,电路输出波形相邻相位差为45°,功耗为24 mW.振荡频率调谐范围为14.06～14.73 GHz,压控电路振荡于14.5 GHz时,其相位噪声为-95 dBc/Hz@1 MHz.