300mm硅单晶的生长技术

讨论了300mm硅单晶的工艺控制，分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提，热屏和磁场的应用有效地控制了晶体的氧含量和微缺陷。