MEMS/GMR集成磁传感器的磁滞抑制方法

1/f噪声是限制磁阻(MR)传感器低频检测能力的重要因素,而基于微机电系统(MEMS)的磁力线调制可使1/f噪声降低两个数量级以上.然而,由磁滞引起的非线性响应是限制其实际应用的主要问题,此外其具有单向响应特性问题.提出了一种双向脉冲磁化方法,可显著降低磁滞,提高MEMS/巨磁阻(GMR)集成磁传感器的线性度.此外,可以通过区分响应差异与双向脉冲磁化来实现双极磁场检测.实验结果表明:双向脉冲磁化可实现91％的磁滞抑制,灵敏度提高15.4％.