直流磁控溅射制备超导TiN薄膜

Zhiping CHEN,Chunhai CAO,Haiping WANG,Yongchao LI,Lin KANG,Weiwei XU,Jian CHEN,Guozhu SUN,Peiheng WU

Chinese Journal of Low Temperature Physics（2017）

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摘要

采用直流磁控溅射法在高阻硅上室温生长TiN超导薄膜.制备了不同溅射功率、溅射气压以及N2/Ar比份条件下的样品.综合物性测量系统(PPMS)测出了样品的超导临界温度Tc在3.2～4.0K之间,给出了Tc与制备条件的关系.X射线衍射(XRD)分析测量了样品的(111)TiN衍射峰半高宽(FWHM)、晶格常数.原子力显微镜 (AFM)测量得到表面粗糙度(RES)最好为1.716 nm,且给出较高溅射功率有利于降低表面粗糙度.

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