可见光通信中GaN-LED PN结面积对调制带宽的影响机理
Optics and Precision Engineering（2020）
摘要
在可见光无线通信中,用于照明的LED光源的调制带宽很低,只有几MHz,限制了基于LED光源的可见光通信的信息传输容量和速度.为构建高带宽LED,研究影响LED调制带宽的因素和机制.设计3组PN结面积分别为200 μm×800μm,300 μm×900 μm和300 μm×1 200 μm的LED芯片并倒装封装成LED器件,测试这3组器件的光电特性和调制带宽,并比较3组样品的电容曲线,分析调制带宽的主要影响因素之一——电容对LED器件的影响机制.实验结果表明:PN结面积为200 μm×800 μm的LED器件具有最小电容,且具有最高的49.9 MHz的-3 dB调制带宽.由于封装、测试电路等引起寄生电容对LED器件调制带宽有重要影响,通过优化器件倒装结构、LED驱动电路等方法可以大幅度减少测试系统的寄生电容,提高LED器件的调制带宽.
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