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Impact of Pits Formed in the AlN Nucleation Layer on Buffer Leakage in GaN/AlGaN High Electron Mobility Transistor Structures on Si (111)

Shashwat Rathkanthiwar,Anisha Kalra,Nayana Remesh,Abheek Bardhan,Rangarajan Muralidharan,Digbijoy N. Nath,Srinivasan Raghavan

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS（2020）

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