衬底温度对反应磁控溅射W掺杂ZnO薄膜的微观结构及光电性能的影响

采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO（WZO）透明导电氧化物薄膜并研究了衬底温度对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响．实验结果表明，WZO薄膜具有良好的（002）晶面择优取向，且适当的衬底温度是制备优质WZO薄膜的关键因素．随着衬底温度升高，薄膜表面粗糙度先增大后减小；衬底温度较高时，薄膜的结构致密，结晶质量好，电子迁移率高．当衬底温度为325℃时，WZO薄膜获得最低电阻率9．25×10^-3Ω·cm，方块电阻为56．24Ω／□，迁移率为11．8cm^2V^-1.S^-1其在可见光及近红外区域（400-1500nm）范围的平均透过率达到85．7％．