不同织构CVD金刚石膜的Hall效应特性?

Su Qing-Feng, Liu Chang-Zhu,Wang Lin-Jun,Xia Yi-Ben

ACTA PHYSICA SINICA（2015）

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摘要

采用热丝化学气相沉积法在p型硅衬底上制备了不同织构的多晶金刚石膜，使用XRD表征了CVD金刚石膜的结构特征，研究了退火后不同织构金刚石膜的电流特性，使用Hall效应检测仪研究了金刚石膜的霍尔效应特性及随温度变化的规律，结果表明所制备的金刚石膜是p型材料，载流子浓度随着温度的降低而增加，迁移率随着温度的降低而减小.室温下[100]织构金刚石薄膜的载流子浓度和迁移率分别为4.3×104 cm?3和76.5 cm2/V·s.

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关键词

diamond films,carrier concentration,mobility,Hall effect

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