铜锌锡硫带边电子结构及缺陷态的光学表征

MA Su-Yu,MA Chuan-He,LU Xiao-Shuang,LI Guo-Shuai,Sun Lin,Chen Ye,Yue Fang-Yu,Chu Jun-Hao

JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES（2020）

引用 2|浏览3

暂无评分

摘要

利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了SnZn相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2CuZn+SnZn]能导致带隙明显窄化,而离子性缺陷簇[CuZn+SnZn]是主要的深施主缺陷态,同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移.贫铜富锌条件下,适当减少锡含量,可有效抑制与SnZn相关的缺陷簇,并避免带隙的窄化.

查看译文

关键词

bandgap,semiconductor defects,spectroscopy characterization,Cu2ZnSnS4

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要