AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 : TCADシミュレーションによる検討 (電子デバイス)敏之 大石,裕太郎 山口,宏治 山中IEICE technical report. Speech（2017）引用 23|浏览3暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树，研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要
