a-Si剩余膜厚对TFT特性的影响

本文通过电学特性测试设备在黑暗(Dark)和光照(Photo)两种测试环境下,研究了沟道不同a-Si剩余厚度对TFT电学特性的影响.通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si剩余厚度,找出电学特性稳定区域以及突变的临界点.实验结果表明:在黑暗(Dark)环境下a-Si剩余厚度在30％ ～48％ 之间时,TFT器件的电学特性比较稳定,波动较小;而剩余厚度少于30％ 时,TFT特性变差,工作电流变小,开启电压变大,电子迁移率变小;在光照环境下主要考虑漏电流的影响,在a-Si剩余厚度43％ 以内时,光照Iof相对较低(小于Spec 20 pA),同时变化趋势较缓;而剩余厚度大于43％ 时,光照Iof增加25％,同时变化趋势陡峭.综合黑暗和光照测试环境,在其他条件不变的情况下,a-Si剩余厚度在30％ ～43％ 之间时TFT的电学特性较好,同时相对稳定.