14nm FinFETとRFおよびSRAM性能のためのにおけるT IDプロセス,形状とバイアス条件依存性の解析【Powered by NICT】
M. P. King, Xusheng Wu, M. Eller, S. Samavedam,Marty R. Shaneyfelt, A. I. Silva, Bruce L. Draper, William Rice, T.L. Meisenheimer,J.A. Felix,En Xia Zhang, T. D. Haeffner,Dennis R. Ball, K. J. Shetler,Michael L. Alles,Jeffrey S. Kauppila,Lloyd W. Massengill IEEE Transactions on Nuclear Science（2017）
AI 理解论文
溯源树
样例
