その場O_3治療によるAl_2O_3/HfO_2スタックを用いた高移動度高Ge含有SiGe PMOSFET【Powered by NICT】

Ando Takashi, Hashemi Pouya,Bruley John,Rozen John, Ogawa Yohei,Koswatta Siyuranga, K Chan Kevin, A Cartier Eduard, Mo Renee,Narayanan Vijay

IEEE Electron Device Letters(2017)

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