その場O_3治療によるAl_2O_3/HfO_2スタックを用いた高移動度高Ge含有SiGe PMOSFET【Powered by NICT】Ando Takashi, Hashemi Pouya,Bruley John,Rozen John, Ogawa Yohei,Koswatta Siyuranga, K Chan Kevin, A Cartier Eduard, Mo Renee,Narayanan VijayIEEE Electron Device Letters(2017)引用 23|浏览3暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要