温度分布を考慮した高速ウエハレベルIO実験計画と適応リフレッシュを備えた1.2V,20nmの307GB/s HBM DRAM【Powered by NICT】
Sohn Kyomin,Yun Won-Joo,Oh Reum,Oh Chi-Sung,Seo Seong-Young,Park Min-Sang,Shin Dong-Hak,Jung Won-Chang,Shin Sang-Hoon,Ryu Je-Min,Yu Hye-Seung,Jung Jae-Hun,Lee Hyunui,Kang Seok-Yong,Sohn Young-Soo,Choi Jung-Hwan,Bae Yong-Cheol,Jang Seong-Jin, Jin Gyoyoung IEEE Journal of Solid-state Circuits（2017）
AI 理解论文
溯源树
样例
