Nb-Zn-Sn-O非晶薄膜的生长与性能

Wei-chao YAN,Ru-jie SUN,Ling-xiang CHEN,Jian-guo LV,Zhi-zhen YE

Journal of materials science & engineering（2015）

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摘要

采用射频磁控溅射技术,成功制备出能用作薄膜晶体管(TFT)沟道层的非晶态Nb-Zn-Sn-O(NZTO)薄膜.研究了溅射压强、退火处理对NZTO薄膜的材料结构、电学和光学性能的影响,并在溅射功率为120W、溅射压强为0.6Pa且在400℃温度下退火2h后,制备出了电子迁移率达5.5cm2v-1 s-1、载流子浓度在1017以下且可见光透射率为80％以上的薄膜.

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关键词

thin films,nb-zn-sn-o

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