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Annealing, Temperature, and Bias-Induced Threshold Voltage Instabilities in Integrated E/D-Mode Inaln/Gan Mos Hemts

M. Blaho,D. Gregusova,S. Hascik,M. Tapajna,K. Frohlich,A. Satka,J. Kuzmik

APPLIED PHYSICS LETTERS（2017）

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