High performance unipolar MoTe$_{\mathrm{2}}$ field effect transistors enabled by doping and Al$_{\mathrm{2}}$O$_{\mathrm{3}}$ capping $_{\mathrm{\thinspace }}$
Bulletin of the American Physical Society（2017）
关键词
field effect transistors,effect transistors,doping
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要