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Analysis of Dark Currents and Deep Level Traps in InP- and GaAs-based in 0.83 Ga 0.17 As Photodetectors

X. Y. Chen,Y. G. Zhang,Y. Gu,X. L. Ji,S. P. Xi,B. Du,Y. J. Ma,W. Y. Ji,Y. H. Shi,A. Z. Li

Journal of Crystal Growth（2017）

引用 8|浏览34
关键词
Defects,Molecular beam epitaxy,Semiconducting III-V materials,Infrared devices
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