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High-field Spatial Imaging of Charge Transport in Silicon at Low Temperature

R. A. Moffatt,N. A. Kurinsky,C. Stanford, J. Allen,P. L. Brink,B. Cabrera,M. Cherry, F. Insulla,F. Ponce,K. Sundqvist,S. Yellin,J. J. Yen,B. A. Young

Applied Physics Letters（2019）

引用 9|浏览58

关键词

Radiation Hardness,Strained-Silicon Technology,Silicon Detectors

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