利用有源多模干涉器提高InGaN超辐射发光二极管的输出功率
Chinese Journal of Lasers（2014）
摘要
为了提高InGaN超辐射发光二极管(SLED)的输出功率,采用有源多模干涉器(Active-MMI)作为管芯结构制作了Active-MMI SLED.由于有源区注入电流抽运面积的增加,提高了器件的增益饱和水平.实验结果表明,Active-MMI SLED的最大输出功率达到了47 mW,光谱较宽而又平坦(3 dB带宽20 nm).此外,器件即使在最大输出功率下,仍然保持着稳定的单模输出.
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