a-Si TFT中钼与非晶硅之间的互作用

Ying Zhao,Shaozhen Xiong,Zongpan Wang,Zhiguo Meng,Yongping Dai,Zhenhua Zhou,Jianjun Zhang, Lun Yao

JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER（1999）

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摘要

本文报导当在室温下向非晶硅(a-Si)表面溅射钼(Mo)的过程中,Mo与非晶硅发生互作用的现象.该互作用要求一定的临界溅射功率与钼层厚度.其作用速率在a-Si界面为反应速率限制,而在与Mo交界面则为扩散速率限制.互作用生成非晶态钼硅Mo:a-Si合金.它可阻止铝(Al)向a-Si中扩散,同时可改善a-Si TFT的接触特性.当用Al/Mo作a-Si薄膜晶体管(a-Si TFT)的源和漏电极时,可提高开关电流比达7～8个数量级.

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