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19aFB-4 量子ホール状態v=2/3における磁気抵抗値の温度変化(19aFB 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

是文 津田,Minhhai Nguyen,昭 福田,大樹 寺澤, 安樹 沢田

mag（2012）

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