20aAH-4 合金元素添加によるNb中の水素の格子内位置の変化(20aAH 格子欠陥・ナノ構造(点欠陥・照射損傷・水素・炭素系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))栄一 八木,克仁 森, 千花 杉, 茂年 小池mag（2012）引用 23|浏览1暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树，研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要
