真空アニール法がAl_2O_3/GaSb MOS界面に与える影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) 高寛 後藤,紗千恵 藤川, 博記 藤代,睦郎 小倉,哲二 安田,辰郎 前田mag(2013)引用 23|浏览6暂无评分关键词high kAI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要