24nmプロセスで製造された151mm^2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
浩一 福田,慶久 渡辺,英一 牧野,浩一 川上,順平 佐藤,輝男 高際,直晃 金川,仁 志賀,直哉 常盤,佳彦 進藤,俊昭 枝広,武志 小川,信 岩井,理 永尾,淳二 武者,貴利 源,康輔 柳平,裕也 鈴木,大 中村,嘉一 細村,宏充 駒井,優佳 古田,麻衣 村本,里英子 田中,剛 四方,絢子 弓仲,清史 櫻井,光泰 渡辺,洋介 加藤,達 三輪, Alex Mak,勝 中道, G. Hemink,Dana Lee,政昭 東谷, Brian J. Murphy, Bo Liu,泰彦 松永,清美 成毛,毅彦 原 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路（2011）
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