43nmCMOS技術を用いた120mm^2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
大 中村,和重 神田, 勝 小柳, 俊雄 山村, 浩司 細野, 正浩 吉原,達 三輪,洋介 加藤, Alex Mak,Siu‐Lung Chan,Frank T.-C. Tsai, Cernea Raul,Binh Le,英一 牧野, 隆志 平, 博之 大竹, 則文 梶村, 進 藤村, 義昭 竹内, 幹彦 伊東,政信 白川,裕也 鈴木, 雄紀 奥川,正嗣 小島, 和英 米谷, 尚倫 有薗, 俊記 久田,晋示 宮本, 充宏 野口, 利武 八重樫,政昭 東谷, 文俊 伊藤,輝彦 亀井,徹 丸山,和美 井納, 成夫 大島 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路（2008）
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