2～18 GHz 300 W GaN固态功率放大器
Research & Progress of Solid State Electronics（2023）
摘要
南京电子器件研究所首次成功研制了2～18 GHz超宽带大功率固态功率放大器(Solid-state power amplifier,SSPA).该固态功率放大器以本所研制的0.2 μm GaN HEMT超宽带功率MMIC为基础,在2～18 GHz频段内单芯片的输出功率≥16 W,通过采用新型全空气超宽带高效合成结构,实现了 30路高效功率合成.该合成结构相比现有合成技术,具有合成效率更高、散热布局更好的优点.实现的超宽带固态功率放大器饱和输出功率在2～18 GHz频段内大于300 W.功率模块可以兼容连续波及脉冲双模工作,采用水冷散热可以长时间稳定工作.
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