利用碳糊成膜法改进CdTe太阳电池背处理工艺

提出一种新型的制备Cd％太阳电池背接触方法。利用碳糊成膜法，将含Cu、Te的CdCl2浆状悬浊液涂覆在CdTe表面，只进行一次后退火，X射线衍射（XRD）、二次质子谱（SIMS）测试发现，就能同时达到CdCl2后处理的作用、形成CuxTe的缓冲层和降低背接触势垒的目的。实验结果表明。本文方法将传统的CdCl2后处理和形成CujWe缓冲层工艺合二为一，制备的CdTe太阳电池含较好控制了的Cu扩散，提高了电池性能；且制备工艺简单易行，可以较显著地降低成本，适合大面积生产。