P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用

Bao-chen JIAO,Xiao-dan ZHANG,Ying ZHAO,Jian SUN,Chang-chun WEI,Rui-xiao YANG

Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals（2008）

引用 5|浏览7

暂无评分

摘要

利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在coming 7059衬底上生长出P型透明导电膜.该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上.X射线衍射的测试结果表明:P型透明导电膜具有c轴择优生长特性.通过霍耳测试得到P型ZnO薄膜的电学特性为:电阻率为4.21 Ω·cm、迁移率是0.22 cm2/(V·s)、载流子浓度为6.68×1018cm-3.此材料初步应用到微晶硅电池中,其开路电压为0.47 V.

查看译文

关键词

p type,Solar cell,Transparent conductive films,ZnO films

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要